压敏电阻是中国的名词,意思是"在一定电流电压范围内电阻值随电压而变",或者是说"电阻值对电压敏感"的阻器。相应的英文名称叫“Voltage Dependent Resistor”简写为“VDR”。
压敏电阻器的电阻体材料是半导体,所以它是半导体电阻器的一个品种。现在大量使用的"氧化锌"(ZnO)压敏电阻器,它的主体材料有二价元素(Zn)和六价元素氧(O)所构成。所以从材料的角度来看,氧化锌压敏电阻器是一种“Ⅱ-Ⅵ族氧化物半导体”。
在中国台湾,压敏电阻器是按其用途来命名的,称为"突波吸收器"。压敏电阻器按其用途有时也称为“电冲击(浪涌)抑制器(吸收器)”。氧化锌压敏电阻又称突波吸收器,系一种具有电压电流对称特性之压敏属性电阻器.它主要的设计是用来保护所有的电子产品或元件免于受开关或雷击诱发所产生之突波的影响,而其非线性指数的特性与广泛的应用范围以及可以量产等优点,已逐渐地被应用在各种不同领域的电子工程方面
压敏电阻是一种以氧化锌为主要成份的金属氧化物半导体非线性电阻元件;电阻对电压较敏感,当电压达到一定数值时,电阻迅速导通。由于压敏电阻具有良好的非线特性、通流量大、残压水平低、动作快和无续流等特点。被广泛应用于电子设备防雷。
主要参数:
1、残压:压敏电阻在通过规定波形的大电流时其两端出现的最高峰值电压。
2、通流容量:按规定时间间隔与次数在压敏电阻上施加规定波形电流后,压敏电阻参考电压的变化率仍在规定范围内所能通过的最大电流幅值。
3、泄漏电流:在参考电压的作用下,压敏电阻中流过的电流。
4、额定工作电压:允许长期连续施加在压敏电阻两端的工频电压的有效值。而压敏电阻在吸收暂态过电压能量后自身温度升高,在此电压下能正常冷却,不会发热损坏。
压敏电阻的不足:(1)寄生电容大 压敏电阻具有较大的寄生电容,一般在几百至几千微微法的范围。在高频信号系统中会引起高频信号传输畸变,从而引起系统正常运行。</P< p>
(2)泄漏电流的存在 压敏电阻的泄漏电流指标既关系到被保护电子系统的正常运行,又关系到压敏电阻自身的老化和使用寿命。
压敏电阻的损坏形式:(1)当压敏电阻在抑制暂态过电压时能量超过其额定容量时,压敏电阻会因过热而损坏,主要表现为短路、开路。
MYL表示防雷型压敏电阻
MYE表示高负荷型压敏电阻,也有厂家用MYT表示通用型,MYL表示防雷型.
选用方法(一般情况):
1、压敏电压值应大于实际电路的电压峰值,一般为:
U1mA =K1×/K2×K3× UC
U1mA ---- 压敏电压
UC ---- 电路直流工作电压(交流时为有效值)
K1 ---- 电源电压波动系数,一般取1.2
K2 ---- 压敏电压误差,一般取0.85
K3 ---- 老化系数,一般取0.9
交流状态下,应将有效值变为峰值,即扩大√2倍,实际应用中可参考此公式通过实验来确定压敏电压值。</P< p>
2、通流量
实际应用中,压敏电阻器所吸收的浪涌电流应小于压敏电阻的最大峰值电流,以延长产品的使用寿命。
压敏电阻的检测。用指针式万用表的R×1k挡测量压敏电阻两引脚之间的正、反向绝缘电阻,均为无穷大,否则,说明漏电流大。若所测电阻很小,说明压敏电阻已损坏,不能使用。
以下内容只有回复后才可以浏览 光耦的部分型号型号规格 性能说明 4N25 晶体管输出 4N25MC 晶体管输出 4N26 晶体管输出 4N27 晶体管输出 4N28 晶体管输出 4N29 达林顿输出 4N30 达林顿输出 4N31 达林顿输出 4N32 达林顿输出 4N33 达林顿输出 4N33MC 达林顿输出 4N35 达林顿输出 4N36 晶体管输出 4N37 晶体管输出 4N38 晶体管输出 4N39 可控硅输出 6N135 高速光耦晶体管输出 6N136 高速光耦晶体管输出 6N137 高速光耦晶体管输出 6N138 达林顿输出 6N139 达林顿输出 MOC3020 可控硅驱动输出 MOC3021 可控硅驱动输出 MOC3023 可控硅驱动输出 MOC3030 可控硅驱动输出 MOC3040 过零触发可控硅输出 MOC3041 过零触发可控硅输出 MOC3061 过零触发可控硅输出 MOC3081 过零触发可控硅输出 TLP521-1 单光耦 TLP521-2 双光耦 TLP521-4 四光耦 TLP621 四光耦 TIL113 达林顿输出 TIL117 TTL逻辑输出 PC814 单光耦 PC817 单光耦 H11A2 晶体管输出 H11D1 高压晶体管输出 H11G2 电阻达林顿输 |
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